0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库建库流程研究与实现

作者：吕灵娟; 刘汝萍; 林敏; 杨根庆; 邹世昌

来源：固体电子学研究与进展, 2014, 34(03): 273-279.

• 0.13μm抗辐射绝缘体上硅互补金属氧化物半导体
• 标准单元库
• 建库流程
• 测试芯片

基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单元库的建库流程的各方面做了比较深入的介绍,通过Hspice仿真验证单元库中加固D触发器(DFF)抗单粒子效应的能力并对不同加固方式的性能开销进行了对比。利用已建立的0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库设计了测试芯片以验证库的可靠性。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所