RTA工艺对HfO2/Si界面电学特性的影响

作者：池晓伟; 崔海洋

来源：河南科技, 2019, (13): 53-55.

• HfO2/Si界面
• RTA工艺
• 氧化物陷阱电荷

为进一步优化HfO2/Si界面的电学性能,本文采用RTA工艺处理HfO2/Si样品,并分析了相应MOS器件的C-V特性。实验结果显示,HfO2/Si界面存在大量的氧化物陷阱电荷,而RTA工艺可以有效修复氧化物陷阱,有效改善HfO2/Si结构MOS器件的电学特性。

• 单位
  国家知识产权局