摘要

<正>亨利·阿达姆松(Henry H. Radamson),瑞典籍,纳米电子学、纳米光子学、热电材料和红外传感器研究专家,曾任瑞典皇家理工学院研究员,自2016年任中国科学院微电子研究所研究员。2020年被评为欧洲科学院(European Academy of Sciences)院士。目前在国际期刊发表SCI论文220余篇;拥有PCT(美国和欧洲专利)授权多项,包括用于红外和太赫兹波长探测的Si Ge Sn多层结构核心专利,以及4项中国专利。