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摘要
本发明公开了一种源漏双掺杂可重构场效应晶体管,包括鳍型沟道,设于鳍型沟道两端具有三层结构的源端和漏端,设于鳍型沟道左右两侧对称分布的边墙,与边墙接触、三面包裹鳍型沟道且对称分布于鳍型沟道左右两侧的栅极氧化物,三面包裹栅极氧化物的控制栅极和极性栅极。特征是源端和漏端均具备双掺杂,两端顶部为同种掺杂半导体,底部为同种异于顶部的掺杂半导体,沟道为本征硅或轻掺杂的硅。本发明与现有的肖特基结隧穿型可重构场效应晶体管(SBRFET)相比,源端不受费米能级钉扎影响,电流对称性更易调控,源漏双掺杂可同时提供大量电子和空穴,驱动电流密度提高的同时泄漏电流与SBRFET基本无异,故具有更为理想的电流开关比,逻辑响应更快。
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