失配电流控制的高阶带隙基准工艺健壮性研究

作者：朱光荣; 尹岱; 聂卫东; 于宗光

来源：微处理机, 2014, 35(04): 1-7.

• 带隙基准
• 高阶补偿
• 温度系数
• 工艺健壮性

分析了基于失配电流控制的高阶补偿带隙基准的补偿原理,并研究了工艺偏移对基准电压温度系数的影响。基于失配电流控制的补偿策略具有结构简单、控制精度高,而且可以通过调整失配电流和多晶电阻阻值,使带隙基准具有较低的温度系数,同时具有较强的工艺健壮性。模拟分析表明,在-25℃-125℃温度范围内,在TT(Typical-Typical)工艺角下,带隙基准的温度系数为4.8ppm/℃,同时在其他工艺角下,带隙基准的温度系数都可控制在9.0ppm/℃以下。通过无锡上华科技(CSMC)0.18μm CMOS工艺实验验证,采用这种简单失配电流控制的高阶补偿带隙基准,在3V电源电压下,在-20℃-120℃温度范围内,带隙基准的温度系数最低为6.9ppm/℃。

• 单位
  江南大学; 无锡友达电子有限公司