γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响（英文）

作者：孙京华; 王文娟; 诸毅诚; 郭子路; 祁雨菲; 徐卫明

来源：红外与毫米波学报, 2024, 43(01): 44-51.

• γ辐照
• InGaAsP/InP
• 单光子雪崩探测器
• 单光子性能

对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器（SPADs）进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照，并进行了原位和移位测试。辐照后，暗电流和暗计数率有轻微的下降，而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后，这些退化基本恢复，这表明瞬态电离损伤在γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器的损伤中占主导地位。

• 单位
  高等研究院; 中国科学院上海技术物理研究所; 上海理工大学; 中国科学院大学; 红外物理国家重点实验室