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摘要
通过等离子体喷射法硅衬底制备金刚石的试验,研究了硅片规格、硅片前期预处理、金刚石膜沉积以及后期热处理等对制备复合基片性质和裂纹产生的影响,对各个工序进行优化和改进,确定了制备金刚石膜/硅复合基片最佳的工艺流程。实验结果表明:在硅基片制备的金刚石膜厚度大于20μm,抛光后金刚石膜表面粗糙度Ra达到5.2 nm,剩余金刚石膜厚度大于10μm,平面度小于30μm,复合基片各项指标均达到电子器件制作的技术要求。
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单位河北省激光研究所
