<正>北京科技大学新材料技术研究院、北京材料基因工程高精尖创新中心的研究团队设计了一种新型的层状结构材料,采用一种简单的溶液外延生长方法,获得超薄(低至1 μm)铋氧化物薄膜,并稳定呈现出高的宏观铁电性能。原子尺度的高密度电子器件,如低维场效应晶体管、纳米级低功耗逻辑和非易失性存储器等,在未来科技发展中具有重要意义。其中,高质量原子尺度铁电外延薄膜的制备是超尺度、高密度电子器件发展的关键环节。