文中针对当前通过在AlGaN层进行F-离子注入这种实现AlGaN/GaN增强型HEMT器件的重要方法,建立其数值模型。对该方法F-起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释,对该方法的实现过程中的关键F-离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析,得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
