低频PECVD设备沉积的AlOx/SiNx钝化膜的性能研究

作者：赵增超^*; 李明; 周小荣; 郭艳; 黄嘉斌

来源：太阳能, 2020, (06): 55-59.

• 低频PECVD设备
• 氧化铝
• 少子寿命
• 等离子体表面处理
• 钝化
• 太阳电池

对低频PECVD设备沉积的应用于PERC太阳电池上的AlOx/SiNx钝化膜的性能进行了研究。通过少子寿命测试发现,低频PECVD设备直接沉积的AlOx/SiNx钝化膜的钝化性能较弱,载流子复合严重;利用傅里叶红外光谱(FTIR)对造成该现象的原因进行了分析,结果发现,一是因为Si-AlOx界面无足够的氧化层,二是因为AlOx膜层内的Al-O四面体结构占比偏小。通过在低频PECVD设备沉积AlOx膜后通入N2O/NH3气体进行等离子体表面处理工艺,抑制了表面的载流子复合,显著改善了AlOx/SiNx钝化膜的钝化性能,使小批量生产的PERC太阳电池的平均转换效率达到了22.48%。

• 单位
  湖南红太阳光电科技有限公司