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摘要
针对反熔丝电路在存储器修复的设计与实现中存在的问题,介绍一种新的反熔丝存储器自检测自修复电路的设计方法。在存储器电路设计中增加冗余存储单元,对有缺陷的存储单元及地址做出更为合理的处理,以避免舍弃整个芯片。通过将读取编程数据与编程器写入数据进行比较,更有效地实现冗余存储单元地址的替换。使用冗余结构来提高存储器电路的可靠性,实现了在同一芯片内部进行自检测和自修复的功能,增加了电路调节的灵活性,提高了电路的普适性,同时可降低电路的维护及使用成本。
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单位中国电子科技集团公司
