高速BiCMOS外延工艺研究

作者：吴兵; 薛智民; 王清波; 陈宝忠

来源：电子与封装, 2010, (06): 29-34.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2010.06.009

• 薄层外延
• BiCMOS
• 高频
• 过渡区
• 自掺杂
• 本征外延法 epitaxy
• BiCMOS
• high-speed
• transition region
• autodoping
• intrinsic epitaxy

外延工艺作为BiCMOS的关键工艺,影响着双极和CMOS器件的多项性能参数。文章对高速BiCMOS器件进行外延工艺研究,设计出了合理的外延层参数,并针对该参数进行了外延工艺的研发。高频器件需要超薄的外延层,控制较窄的过渡区是其关键,文章研究了几个主要外延工艺参数对过渡区的影响,并提出了一种通过减压、低温、本征外延得到窄过渡区的工艺方法。试制结果表明自掺杂效应得到明显抑制,1.5μm外延层下过渡区宽度小于0.25μm,外延层质量良好,测试结果表明该工艺能够满足高速BiCMOS器件的需要。

• 单位
  西安微电子技术研究所