对掩膜电化学沉积中缺陷的去除进行数值分析及实验研究。阐述掩膜电化学沉积的缺陷形成原因以及缺陷去除原理；对缺陷去除过程进行电场分析以及数学计算，得到了“马鞍”正弦轮廓振幅随着电流和电流通过时间沉积的关系式，计算得到微柱顶端高度差降为3μm的电解加工时间为9.48 s。开展对比实验，实验结果表明：在电解平整加工后微柱阵列高度差从13μm降低到4.2μm。
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