在消滞留技术创新理论基础上,从色谱方程H=A+B/u+Cu中传质C项对柱效率的影响出发,讨论在外加电场时色谱滞留层消除与柱效率变化的关系。实验将peek色谱柱置于直流电场中,通过改变电场强度,考察一定流速下,电渗流的变化与色谱柱的柱效关系;以及一定电场强度下,不同流速与柱效的关系。结果表明色谱柱在一定电场强度下,固定相表面滞留层受到抑制,传质C项的影响削弱,流速对C项的影响降低,在实现提高柱效率的同时还可以提高流速缩短分析时间,为进一步研究高效色谱柱提供一定的基础。