逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展

作者：张广银; 沈千行; 张须坤; 田晓丽; 卢烁今; 朱阳军

来源：半导体技术, 2016, 41(10): 721-729.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.10.001

• 功率器件
• 逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)
• 反向阻断
• 隔离技术
• 终端
• 混合隔离

逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优点。自从被提出以来,RB-IGBT在结构设计和加工工艺方面不断得到改进,其性能不断提升,使得RB-IGBT拥有更为广阔的应用前景。综述了RB-IGBT的发展历程和双向耐压原理,重点阐述了不断改进的RB-IGBT结构和国际上采用的加工工艺。针对热预算、工艺难度和工艺成本等,分析了不同工艺技术的优缺点,重点探讨了工艺的实现方式。对RB-IGBT的发展趋势进行了分析和预测,认为混合隔离技术和漂移区的改进将是下一代RB-IGBT的发展方向。

• 单位
  中国科学院; 中国科学院大学; 江苏物联网研究发展中心; 中国科学院微电子研究所