氢等离子体加热法晶化a-Si:H薄膜

作者：陈城钊; 林璇英; 林揆训; 余云鹏; 余楚迎

来源：功能材料, 2004, 35(5): 662-664.

DOI：10.3321/j.issn:1001-9731.2004.05.046

• 多晶硅薄膜
• 氢等离子体加热
• 退火工艺
• 晶化度

利用氢等离子体加热晶化n -a-Si∶H/a-Si∶H薄膜,可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜.采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电子显微镜等手段进行表征和分析,研究了不同退火条件对薄膜晶化的影响.结果表明,随着射频氢等离子功率的提高、衬底温度升高和退火时间的增加,薄膜的晶化度呈现出增加趋势.

• 单位
  汕头大学; 浙江大学; 韩山师范学院