摘要

目的探究干扰EZH2表达对B淋巴瘤Ramos细胞的辐射增敏作用及其机制。方法首先使用shRNA转染敲除淋巴瘤Ramos细胞EZH2表达,将细胞分为空白对照组、阴性shRNA组、shEZH2组。使用CCK-8法检测细胞增殖,克隆形成实验检测细胞放射增敏比(SERDO值比),流式细胞术观察细胞凋亡率和细胞周期分布,western bloting检测EZH2及NF-κB等相关蛋白表达。结果 shEZH2转染后,淋巴瘤Ramos细胞EZH2表达明显下调(P=0.004)。与阴性shRNA组相比,4Gyγ-射线辐射条件下,shEZH2组96h细胞存活率、12d克隆形成数目和24h细胞凋亡率均明显降低(P=0.003;P=0.027;P=0.029),多靶单击模型分析显示EZH2处理对Ramos细胞的细胞放射增敏比为1.73。流式细胞术显示,阴性shRNA组G2/M期占比为(17.94±2.17)%,shEZH2联合辐射组G2/M期占比为(39.43±3.69)%,G2/M期占比明显升高(P=0.019)。western bloting结果显示shEZH2组NF-kB及其靶基因蛋白p53和Bax表达均明显降低(P=0.008;P=0.025;P=0.014)。结论干扰EZH2表达能够增强B淋巴瘤Ramos细胞的辐射敏感性,其机制可能与调控细胞周期G2/M期细胞阻滞和NF-κB通路有关。

  • 单位
    吉林大学第二医院; 公共卫生学院; 吉林大学