SiC二极管在PFC应用中的简化损耗计算方法

作者：朱**; 王会刚; 周万里; 梁叶

来源：电子元器件与信息技术, 2020, 4(03): 11-13.

DOI：10.19772/j.cnki.2096-4455.2020.3.004

• 碳化硅(SiC)肖特基二极管
• 功率因数校正
• 损耗分析

更新的拓扑和更高效的功率器件应运而生,典型代表就是高压碳化硅肖特基二极管。根据《欧盟EN61000-3-2号标准》,功率超过75W的开关电源都必须强制安装PFC模块,因此碳化硅二极管的应用前景十分广泛,准确地分析碳化硅二极管的损耗,对于设计更高效的开关电源,改善器件的制造工艺等方面都具有非常重要的意义。通过在PFC电源的不同工况下,对碳化硅二极管的损耗进行分析,实验结果验证了所提出方法的高效和准确性。