一种非对称沟道介质环场效应晶体管

作者：唐雅欣; 田明; 王昌锋; 廖端泉; 曹永峰; 孙亚宾; 李小进; 石艳玲

来源：2019-07-15, 中国, ZL201910634807.3.

本发明公开了一种非对称沟道介质环场效应晶体管,该晶体管包括源极、漏极、源极扩展区、漏极扩展区、沟道、栅极、衬底以及衬底中绝缘隔离层,设置在靠近漏极扩展区的纳米线沟道外围的绝缘介质环。所设的绝缘介质环结构由于其较大的介电常数和禁带宽度使得载流子在漏端发生隧穿的几率减小,有效减小了栅致漏极泄漏电流,开态电流几乎不会受到影响。并且该结构嵌于栅氧层内部,栅围电容不会增大,其动态特性不会受到影响。因此,在保持环栅器件的动态性能不被损害的前提下,降低器件的GIDL漏电,提高器件的电流开关比,从而提升集成电路性能。

• 单位
  华东师范大学