摘要
金属氧化物薄膜晶体管(metal oxide thin film transistor,MOTFT)由于具有迁移率高、均匀性好、工艺简单、工艺温度低、成本低等优势,非常适合高分辨率、大尺寸液晶显示(LCD)和有源矩阵有机发光二极管显示(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,因此受到业界和学界的广泛关注.结合本课题组的工作,本文阐述了MOTFT的材料、器件结构、制作工艺以及应用,并对影响MOTFT性能的因素进行了讨论.本课题组开发的新型MOTFT迁移率可达35 cm2/(V s),阈值电压为1.63 V,开关比为109,亚阈值摆幅为0.21 V/decade.基于自主开发的MOTFT背板,在国...
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单位广州新视界光电科技有限公司; 华南理工大学; 发光材料与器件国家重点实验室