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摘要
本实用新型属于半导体器件领域,公开了一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件。所述器件包括衬底、GaN沟道层、AlGaN超薄势垒层、非晶SiO2层、单晶AlN层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。本实用新型的增强型器件是在GaN和超薄AlGaN异质结的基础上,在栅下区域插入非晶SiO2层后,在异质结上外延单晶AlN层。栅下非晶SiO2层能够隔离强极性单晶AlN层对AlGaN超薄势垒层的极化增强效应,耗尽栅下二维电子气,使器件关断,实现增强型器件。同时栅下的非晶SiO2和单晶AlN可作为栅下介质层,有利于降低栅泄漏电流,提高器件击穿电压。
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