氧等离子体对少层MoS2及其场效应晶体管的影响研究

作者：张亚东; 贾昆鹏; 吴振华; 田汉民^*

来源：电子元件与材料, 2020, 39(05): 67-72.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.05.010

• 二硫化钼
• 场效应晶体管
• 氧等离子体
• 拉曼光谱
• 掺杂

通过氧等离子体对MoS2材料及其场效应晶体管进行处理,用AFM、拉曼光谱、XPS和I-V测试对材料和器件性能进行表征,系统研究了氧等离子体对MoS2材料及其器件性能的影响。实验结果表明,氧等离子体处理可以有效去除MoS2材料和器件制备过程中引入的有机杂质,将MoS2的表面粗糙度降低到了0.27 nm。同时氧等离子体将表层MoS2氧化成MoO3,降低了器件接触区域MoS2与金属之间的费米能级钉扎效应,使器件开关比高达3.3×106。对MoS2器件沟道进行处理时,氧离子穿过MoO3插入到MoS2晶格中从而对沟道形成p型掺杂。

• 单位
  河北工业大学; 中国科学院微电子研究所; 电子信息工程学院