摘要
<正>由于跟非晶硅面板制程兼容,非晶氧化物InGaZnO(IGZO)自从在实验室被发现后,很快进入了显示驱动工业应用,如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在较高的迁移率(10 cm2/Vs左右)、低温大面积制程(可至G8面板以上)、低的关态电流(约比低温多晶硅TFT低1000倍)等方面具有独特的优势。然而,伴随着显示技术的快速发展,
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<正>由于跟非晶硅面板制程兼容,非晶氧化物InGaZnO(IGZO)自从在实验室被发现后,很快进入了显示驱动工业应用,如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在较高的迁移率(10 cm2/Vs左右)、低温大面积制程(可至G8面板以上)、低的关态电流(约比低温多晶硅TFT低1000倍)等方面具有独特的优势。然而,伴随着显示技术的快速发展,