正照射与背照射InGaAs探测器的性能对比研究

作者：唐恒敬; 吕衍秋; 吴小利; 张可锋; 李雪; 龚海梅

来源：激光与红外, 2007, S1: 938-940.

• 探测器
• InGaAs
• 探测率
• 钝化 detector
• detectivity
• passivation

首先介绍了InGaAs台面探测器的研究进展,然后为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性,利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过台面制作、钝化、电极生长、背面抛光等工艺,制备了8元台面InGaAs探测器,并测试了正照射和背照射时,器件的I-V、信号和响应光谱。测试结果表明,正照射和背照射情况下,器件的响应信号差别不大,正照射下器件的平均峰值探测率为4.1×1011cm.Hz1/2.W-1,背照射下器件的平均峰值探测率为4.0×1011cm.Hz1/2.W-1,但背照射情况下器件的响应光谱在短波方向有更好的截止。

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 中国空空导弹研究院; 中国科学院研究生院; 传感技术国家重点实验室