镓极性面氮化镓材料及同质外延生长方法

作者：薛军帅; 杨雪妍; 李蓝星; 姚佳佳; 孙志鹏; 张赫朋; 刘芳; 张进成; 郝跃

来源：2021-01-18, 中国, CN202110060189.3.

本发明公开了一种镓极性面氮化镓材料及同质外延生长方法,主要解决现有镓极性面氮化镓材料位错密度高、表面形貌差、背景载流子浓度高、生长工艺控制难度大和一致性差的问题。其材料结构,自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、氮化镓外延层(3),其中过渡层采用InAlN或ScAlN或YAlN,衬底采用镓极性c面氮化镓单晶衬底。其制作步骤为：在衬底基片上,利用分子束外延方法生长厚度为1nm～10nm的过渡层；保持反应室温度、氮气流量和氮气射频源功率不变,在过渡层上生长氮化镓外延层。本发明材料结晶质量高、表面形貌光滑、背景载流子浓度低、生长工艺简单且一致性高,可用于制作高频微波功率器件和高速电力电子开关器件。

• 单位
  西安电子科技大学