自发Raman散射过程中写激发率对光与原子纠缠源质量的影响

作者：张浩毅; 温亚飞; 周湃; 袁亮; 徐忠孝; 李淑静; 王海

来源：量子光学学报, 2018, 24(02): 141-146.

• 冷原子系综
• 自发拉曼散射
• 光与原子纠缠

在87 Rb冷原子系综中,利用自发Raman散射过程,实现了光与原子的纠缠。测量了Bell参数S随着写激发率的变化关系,当写激发率增加时,Bell参数S逐渐下降。当写激发率约为1%时,测量了Bell参数S与自旋波存储时间的关系。实验测得Bell参数S会随着存储时间t的增大而减小,在t=80μs的时候S参数的测量值仍然大于2,证明产生的光与原子的纠缠可以保持80μs以上。本文的研究结果为产生高质量的光与原子量子纠缠提供了实验基础。

• 单位
  量子光学与光量子器件国家重点实验室; 山西大学