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摘要
采用同步辐射成像技术研究Al-20wt.%Cu亚共晶合金的晶粒竞争生长动力学并建立与实验结果相一致的数学模型则为制备单晶提供理论指导。实验结果表明，对于发散型竞争生长，遵循“正常淘汰”规则。对于汇聚型竞争生长，成分过冷的作用加速了非择优取向晶粒中一次枝晶臂的生长速度，导致非择优取向枝晶出现“异常淘汰”现象，择优取向枝晶被淘汰了。本文探讨了汇聚型竞争生长的“正常淘汰”与“异常淘汰”之间的临界条件。建立了枝晶生长速率、枝晶臂间距和枝晶倾斜角之间的数学关系，又称“二次枝晶臂阻挡模型”，可以快速预测晶界位相和淘汰类型。
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