高性能的LED图形优化衬底及LED芯片

作者：李国强; 钟立义; 王海燕; 林志霆; 周仕忠; 乔田; 王凯诚

来源：2014-06-23, 中国, CN201420338262.4.

本实用新型公开了高性能的LED图形优化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的圆台组成,每个圆台的高度H为0.5～4μm,上圆半径R上为0.1～1μm,下圆半径R下为1～3μm,R上＜R下,相邻圆台的边距d为0.2～3μm。本实用新型还公开了上述LED图形优化衬底的制备方法及包含上述LED图形优化衬底的LED芯片。本实用新型通过采用圆台型图形衬底,大大提高了反射光子到达LED芯片顶部及底部的能力,具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率,而且圆台图案有利于形核,有利于外延生长高质量GaN晶体。

• 单位
  华南理工大学