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摘要
受限于电子设备的内部空间，电池保护电路中MOSFET器件通常采用晶圆级芯片规模封装（WLCSP）。由于WLCSP的特点，电池保护电路中的MOSFET器件在生产、使用中会出现各种类型的失效模式和失效机理。介绍了采用WLCSP技术封装的MOSFET器件常用的分析方法与设备，结合相关的失效案例，论述了芯片开裂、芯片工艺缺陷、芯片腐蚀和过电应力这4种常见的失效机理，为MOSFET器件及其他电子元器件的失效分析和问题解决提供一定的参考。
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受限于电子设备的内部空间，电池保护电路中MOSFET器件通常采用晶圆级芯片规模封装（WLCSP）。由于WLCSP的特点，电池保护电路中的MOSFET器件在生产、使用中会出现各种类型的失效模式和失效机理。介绍了采用WLCSP技术封装的MOSFET器件常用的分析方法与设备，结合相关的失效案例，论述了芯片开裂、芯片工艺缺陷、芯片腐蚀和过电应力这4种常见的失效机理，为MOSFET器件及其他电子元器件的失效分析和问题解决提供一定的参考。
