基于PIC-MCC模型的真空开关弧后鞘层仿真研究

作者：李旭彬^*; 冷爽; 黄智慧; 刘芮彤; 邹积岩; 廖敏夫

来源：真空科学与技术学报, 2019, 39(11): 1033-1038.

DOI：10.13922/j.cnki.cjovst.2019.11.17

• 真空开关
• 鞘层
• PIC-MCC
• 介质恢复过程

真空开关的零区鞘层仿真研究对于深入了解其弧后介质恢复过程具有重要意义。本文采用PIC-MCC模型,研究小电流开断情况下的真空开关弧后鞘层发展过程。通过仿真得到了鞘层发展阶段的粒子空间分布、密度分布和电势分布等微观参数。采用对照分析法,研究不同初始等离子体密度、原子密度和暂态恢复电压(TRV)上升率等对鞘层发展的影响,结果表明:在其他参数设置保持不变的情况下,初始等离子体密度越大,鞘层发展越慢;初始原子数密度越大,鞘层发展越慢;TRV斜率越大,鞘层发展越快。

• 单位
  国网辽宁省电力有限公司; 大连理工大学