SiC-AlN复相陶瓷材料的无压烧结和导热性能

作者：张景贤; 江东亮; 姚秀敏; **明; 刘学建; 黄政仁; 杨建; 李晓云; 丘泰

来源：真空电子技术, 2014, (05): 1-3.

DOI：10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2014.05.002

• 碳化硅
• 氮化铝
• 无压烧结
• 热导率

采用无压烧结工艺制备了SiC-AlN复相陶瓷材料,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜和激光导热仪对材料的晶相、微结构和导热性能进行了综合研究。实验发现,烧结体的密度和AlN的添加量有关。在AlN添加量低于10%(质量比)时,烧结体的相对密度随着AlN含量的升高而升高。在添加量高于10%时,AlN的添加对于烧结不利。复相陶瓷的热导率随着AlN含量的增加而下降。这和材料内部固溶体的形成有关。XRD测试发现,随着AlN含量的升高,2H固溶相增加。这直接影响到材料的烧结性能和热导率。

• 单位
  南京工业大学; 中国科学院上海硅酸盐研究所; 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室