SiC纳米材料的形貌调控及其场发射阴极性能

作者：谷雨; 张玉旗; 庞世发; 陈明良

来源：化工设计通讯, 2019, 45(06): 60.

• 场发射
• SiC
• 纳米
• 一维材料

SiC一维纳米材料,具有良好的电子迁移率、稳定性和可制备性,是下一代重要的场发射阴极材料。通过对近年来SiC一维材料制备的研究,发现SiC的主要结构是纳米线/纳米棒、纳米管和纳米阵列,同时提高SiC场发射性能主要通过三种方式:降低微结构顶端的直径、增加发射点的密度、加入元素进行掺杂。

• 单位
  机电工程学院; 青岛科技大学