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摘要
本研究在P型硅衬底上制备了硼掺杂金刚石/MoS2/金刚石复合膜结构的电致发光器件。对器件中薄膜层的组成和微观结构进行了表征，并对器件的伏安特性和电致发光特性进行了研究。结果表明，器件的I-V曲线有轻微的不对称性；器件在正接和反接时都可以发光，但器件的电致发光光谱有明显差异：器件正接时有两个发光宽峰分别位于420和660 nm处，而器件在反接时的两个发光宽峰则分别位于436和680 nm处，且器件反接时的发光强度是正接时的5.4倍。原因在于器件外加不同方向电压时，各薄膜层对电致发光光谱的贡献不同。
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