磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的模型分析

作者：沈自才; 邵建达; 王英剑; 范正修

来源：Acta Physica Sinica, 2005, (10): 4842-4845.

• 渐变折射率
• 磁控反应溅射
• 模型 gradient-index
• reactive magnetron sputtering
• modeling

阐述了磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的机理;探讨了磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的理论模型,给出了渐变折射率薄膜的折射率与反应气体分压的关系,在一定的沉积参数下,由要得到的膜层折射率随膜层几何厚度的变化规律可推导出反应气体分压比随时间的变化规律;最后以制备折射率线性变化的薄膜为例说明了如何推导得到反应气体分压比随时间的变化规律.

• 单位
  中国科学院研究生院; 中国科学院上海光学精密机械研究所