Ⅲ-V族半导体材料组成光子晶体能态密度特性

作者：陈士芹

来源：激光杂志, 2012, (03): 23-24.

• 半导体材料
• 光子晶体
• 平面波展开法
• 能态密度 semiconductor material
• sphotonic crystals
• the plane wave expansion method
• state density

应用平面波展开法研究Ⅲ-V族半导体材料组成光子晶体能态密度特性,得到填充率f随晶格半径a之间的变化对应的能态密度分布,当f=0.2a时归一化频率存在最大光子带隙。通过比较化合物半导体材料为AIP、AIAs、AISb和GaP构成二维方形光子晶体得出GaP有较宽的光子禁带,随着填充率的增加光子晶体带隙增加。研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。

• 单位
  临沂大学