无带隙基准的超低功耗欠压检测技术研究

作者：郭仲杰^*; 韩晓; 何帅; 曹喜涛; 苏昌勖; 刘申; 李晨

来源：固体电子学研究与进展, 2021, 41(05): 394-398.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.20210726.002

• 无带隙基准
• 欠压检测
• 低功耗

为了简化欠压检测系统的结构和提高电路的可靠性,提出一种低功耗的无带隙基准源的欠压检测电路结构。采用内部跟随电源线性变化的电压作为基准,与电源的分压进行比较,实现系统的欠压检测。该方法巧妙运用电源电压变化的不同曲率计算欠压点、无需传统的复杂电路结构,大幅降低了系统功耗。基于0.25μm CSMC BCD工艺对提出的方法进行了具体电路的设计、仿真验证与流片测试,实测结果表明:在温度-40～85℃的变化区间下,芯片欠压检测阈值为1.683～1.829 V,芯片复位阈值为3.620～3.901 V,欠压检测相对精度达到5.34%,功耗低至17.3μW。

• 单位
  西安理工大学