薄膜厚度和溅射功率对有机衬底上ZnO∶Ga薄膜应力的影响

作者：张哲浩; 吕建国; 江庆军; 叶志镇

来源：材料科学与工程学报, 2016, 34(03): 348-366.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2016.03.002

• ZnO∶Ga薄膜
• 应力
• 基片曲率法
• 直流磁控溅射
• 有机衬底

在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力。提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力。研究表明随着薄膜厚度的增加,外应力可以得到充分释放。而溅射功率的变化可以改变GZO薄膜的应力和晶粒尺寸。研究表明溅射功率在140W的条件下制备的厚度225nm薄膜具有最大的晶粒尺寸和最小的压缩应力。结果表明改变溅射参数,比如溅射功率和薄膜厚度,GZO薄膜能够有效地释放应力。

• 单位
  浙江大学; 硅材料国家重点实验室