一种半导体结构、半导体结构的制备方法和热电堆传感器

来源：传感器世界, 2023, 29(05): 45.

<正>申请号:202310125271.9【申请日】2023.02.06【公开号】CN115988946A【公开日】2023.04.18【分类号】H10N10/17;G01J5/12;H10N10/01;H10N10/13【申请人】深圳市汇投智控科技有限公司【发明人】周正;杨力建;倪梁;卢惠棉【摘要】本发明涉及一种半导体结构、半导体结构的制备方法和热电堆传感器。包括：衬底，衬底的上表面开设有凹槽，衬底的下表面开设有背腔，