O2在UC(001)表面吸附的第一性原理研究

作者：瞿鑫; 何彬^*; 李如松; 王飞; 袁凯龙; 何山浩伟

来源：原子能科学技术, 2018, 52(11): 1935-1941.

• UC
• O2
• 吸附
• GGA+U

本文使用GGA+U方法研究了O2在UC(001)表面的吸附、解离过程。结果表明:Ueff=1.5eV能很好地再现晶格常数a和内聚能Ecoh的实验结果;经过离子弛豫,最表面的两个原子层出现分层现象,各自形成两个亚层;O2分子的吸附构型对吸附过程影响较大,吸附能在2.218.55eV之间变化。通过Bader电荷、差分电荷和态密度分析,可确定O2分子的解离活化机理为U的5f/6d电子转移至O2的π2p和π*2p轨道。