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摘要
随着VLSI工艺深入到纳米量级,MOSFET的沟道长度、宽度、结深、氧化层厚度等参数不断减小,而电源电压降低的速度则小于MOSFET尺寸缩小的速度,进而器件热载流于注入效应变得越来越严重。 近年来,科研人员提出了电路设计领域的新概念——可靠性设计,即在电路设计时就考虑可靠性对电路性能的影响,通过精确的表征器件性能退化趋势的可靠性模型,对设计电路进行可靠性分析和仿真,评估所设计电路的性能衰变趋势,进而优化设计,降低成本。而目前业界的可靠性物理模型主要用于器件寿命评估,无法表征在热载流子退化过程中器件电学性能参数随时间的精确变化趋势。 本文在MOSFET可靠性仿真解决方案MOSRA的基...
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