贯通导体及其电路对金属腔体内部电磁场的影响

作者：李凯; 魏光辉; 潘晓东; 刘国红; 李新峰; 刘心愿; 孟祥凤

来源：强激光与粒子束, 2014, 26(08): 241-246.

• 贯通导体
• 负载电路
• 电磁干扰
• 屏蔽效能
• 电磁兼容
• 金属腔体

为研究贯通导体及其负载电路对金属腔体内部电磁场的影响,建立了不同贯通导体端接负载模型,使用电磁仿真软件CST进行仿真,利用GTEM室、矢量网络分析仪、功率放大器、ETS电场探头组建实验测试系统,验证了仿真结果的正确性,揭示了贯通导体及其电路对金属腔体内部电磁场的影响规律。研究结果表明:腔体内部电磁场同时受到贯通导体与腔体谐振的影响,在谐振频点干扰场强取得极大值,屏蔽效能取得极小值甚至为负值。贯通导体端接负载不接地与贯通导体两端开路情形相似,贯通导体端接负载直接接地时内部场显著降低,谐振频点降低,贯通导体端接负载浮点接地时内部场变化规律低频时与开路模型相似,高频时与直接接地模型相似。贯通导体端接负载的电阻值、电容值也会影响腔体的内部场。

• 单位
  中国人民解放军陆军工程大学; 武汉军械士官学校