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摘要
碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性，是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域，而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同规格SiC MOSFET的高温栅氧可靠性。负压高温栅偏试验结果 显示自研SiC MOSFET与国外SiC MOSFET的阈值电压偏移量基本相等，阈值电压偏移量百分比最大相差在4.52%左右。正压高温栅偏试验的结果显示自研SiC MOSFET的阈值电压偏移量较小，与国外SiC MOSFET相比，自研SiC MOSFET的阈值电压偏移量百分比最大相差11%。自研器件占优势的原因是在SiC/SiO2界面处引入了适量的氮元素，钝化界面缺陷的同时，减少了快界面态的产生，使总的界面态密度被降到最低。
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