低温度系数低功耗带隙基准的设计

作者：吴庆; 李富华; 黄君山; 侯汇宇

来源：电子与封装, 2019, 19(06): 25-28.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0607

• 带隙基准电压
• PTAT电流
• CTAT电流
• 温度系数

对带隙基准电压源的温度系数和功耗进行了分析研究,采用与绝对温度成正比(PTAT)的电流和与绝对温度互补(CTAT)的电流加权和技术,同时采用放大器工作在亚阈值区技术及运放失调补偿技术,基于0.4μm的CMOS工艺设计了一个低温度系数、低功耗的基准电压电路。通过电源电压、工作温度及工艺角对基准电压影响的仿真,结果表明该带隙基准源典型的温度系数为2×10-6/℃,功耗为5.472μW,基准电压为1.32 V,电源抑制比为83.5 dB,实现了低温度系数、低功耗特性,且电路工作稳定。

• 单位
  苏州大学