MgO/MgF2掺杂对Al2O3陶瓷烧结、显微结构及微波介电性能的影响

作者：林聪毅; 袁璐; 李蔚^*

来源：硅酸盐通报, 2019, 38(12): 3845-3848.

DOI：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2019.12.019

• MgO
• MgF2
• 掺杂
• Al2O3陶瓷
• 微波介电性能

采用搅拌混合法和无压烧结工艺,制备了Mg2+浓度为500 ppm的MgO掺杂和MgF2掺杂的Al2O3陶瓷,系统地研究了MgO和MgF2掺杂对Al2O3陶瓷致密化、显微结构和微波介电性能的影响。研究结果表明:与MgO掺杂相比,MgF2掺杂在较高温度下能更加有效地促进Al2O3陶瓷的致密化。在1550℃烧结条件下,MgF2掺杂的Al2O3陶瓷比MgO掺杂的Al2O3陶瓷的晶粒更大,同时介电常数也更高。但另一方面,MgF2掺杂的Al2O3陶瓷介电损耗也远比MgO掺杂的Al2O3陶瓷要高。同时简单分析了造成此现象的原因。

• 单位
  华东理工大学; 上海三思电子工程有限公司