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摘要
探讨了工艺差异对组合电路软错误评估的影响，研究了工艺差异对通用高效率三模冗余(general efficiency triple modular redundancy, GE-TMR)与门尺寸调整(gate-sizing, GS)加固方法的加固特征表现的影响。将GE-TMR和GS加固方法应用于28 nm工艺和65 nm工艺的组合电路，详细分析和比较了2种加固方法在软错误率、面积和延时3个指标的特征表现。研究结果表明：表决单元的面积和软错误率是制约GE-TMR加固方法加固效果的关键因素；在不考虑表决单元面积的前提下，28 nm工艺电路中，采用GE-TMR加固方法在面积代价大于1.5时，软错误优化能力强于GS加固方法，而在65 nm工艺电路中，该面积代价阈值是1;无论何种工艺，GS加固方法在电路延时表现上都优于GE-TMR加固方法。
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