一种12 GHz的高增益低噪声放大器

作者：何谟谞; 胡钧剑^*; 高博; 贺良进

来源：电子技术应用, 2022, 48(04): 104-107.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.212377

• GaAs pHEMT
• LNA
• 共电流两级结构
• 高增益
• LC阶梯匹配网络

通过分析GaAs pHEMT器件特性设计了一款两级高增益、低功耗的低噪声放大器。采用两级结构提高低噪声放大器的增益，设计了一种共用电流结构，降低了放大器的功耗，同时降低电路噪声。输入、输出匹配均采用LC阶梯匹配网络，具有良好的匹配性，并使用CAD软件对电路进行设计优化。电路仿真结果表明，在中心频率12 GHz下实现了增益为27.299 dB、噪声系数为0.889 dB、S11和S22均小于-10 dB的性能，工作带宽为600 MHz。此低噪声放大器作为12 GHz频段的接收机的前端设计研究，具有一定意义。

• 单位
  成都飞机工业(集团)有限责任公司; 成都飞机工业（集团）有限责任公司