摘要

为满足低功耗射频前端电路对晶体振荡器启动时间的要求,本文通过求解任意注入频率下注入晶体谐振器的微分方程,分析了晶体谐振器内能量积累的行为,对频率注入快速启动晶体振荡器进行了理论分析,确定了最佳注入时间,最终提出了一种二次注入快速启动晶体振荡器。本文提出的二次注入快速启动分为三个过程,分别是粗糙频率注入、环形振荡器锁定和精确频率注入,在采用该二次注入频率锁定技术之后,晶体振荡器的启动时间由600μs缩短到30μs。本文所提出的40 MHz快启动晶体振荡器采用180 nm CMOS工艺进行仿真验证。