为提高单晶硅质量,采用ANSYS软件对勾型电磁场进行理论分析和优化设计。建立8 in单晶炉勾型磁场的仿真模型,并分析了磁场径向分量Br随径向变化规律和磁场轴向分量Bz随轴向距离变化规律,验证了模型的准确性;在此模型基础上,分析和确立了影响单晶生长的关键磁场参数,进一步对线圈电流I、线圈直径R和线圈间距h等对磁场影响规律进行了探讨,并得到优化的结构参数。仿真结果表明本文所设计的磁场关键参数正确性和有效性,为指导勾型磁场设计提供了依据。
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