基于锌扩散的InGaAs/InP平面型红外探测器快速热退火研究（英文）

作者：曹嘉晟; 李淘; 于一榛; 于春蕾; 杨波; 马英杰; 邵秀梅; 李雪; 龚海梅

来源：红外与毫米波学报, 2023, 42(05): 634-642.

• 短波红外
• 铟镓砷探测器
• 快速热退火
• 扩散

系统研究了快速热退火对锌扩散的In0.53Ga0.47As/InP PIN探测器的影响。利用电化学电容电压和二次离子质谱技术分析了退火前后Zn和净受主的浓度分布，结果表明退火过程会影响杂质浓度，但不影响扩散深度。制备了不同退火条件的In0.53Ga0.47As/InP PIN探测器。器件测试反映，未退火的探测器在260～300K具有更低的器件电容和更高的激活能。通过暗电流成分拟合对器件暗电流机制进行分析，未退火器件表现出更低的肖克利-里德-霍尔产生复合电流和扩散电流，因而室温下未退火器件具有更高的峰值探测率。为了制备高性能低掺杂吸收层结构的平面型InGaAs探测器，快速热退火是不必要的工艺。

• 单位
  传感技术国家重点实验室; 中国科学院; 中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院研究生院