选区激光熔化AlSi10Mg应力场数值模拟研究

作者:李保强; 李忠华*; 白培康; 聂云飞; 蒯泽宙; 徐成栋
来源:应用激光, 2019, 39(02): 211-216.
DOI:10.14128/j.cnki.al.20193902.211

摘要

采用ANSYS有限元软件,利用热-结构间接耦合的方法建立单层多道的应力场模型,对选区激光熔化AlSi10Mg应力场进行模拟。分析了内应力的分布和演变规律,以及不同曝光时间和点间距对残余应力的影响。研究发现,温度均匀化后熔池搭接区域的残余应力高(最高残余应力),中心区域的残余应力低(最低残余应力)。随着ET和PD的增加,最高残余应力逐渐增大。然而,进一步增加PD,缺陷的形成导致应力有所降低。随着ET的增加和PD的降低,最低残余应力增加。

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